为降低切向涡轮流量计的测量下限,以25 mm口径机械式热量表为例,利用计算流体动力学(CFD)仿真软件对传感器内部三维流场进行研究,提出了提高传感器性能的10种结构改进方案,并通过CFD仿真对优化后的传感器性能进行预测,选择出最佳方案。结果表明:结构参数改进后,测量下限由0.07 m3/h降为0.035 m3/h通过使用深硅等离子刻蚀机,以C4F8和SF6为刻蚀气体线性度补偿-电动弯管机价格低张家港弯管机滚圆机滚弧机多少钱,对以光刻胶与金属铝两种材料作为掩模的深硅刻蚀结果进行对比,研究了深硅刻蚀过程中掩模材料对刻蚀结果的影响。实验结果表明:以光刻胶做掩模,深硅刻蚀后硅侧壁和硅底部表面形貌平整,垂直度较之铝掩模相当;以金属铝做掩模,深硅刻蚀后深槽底部表面不平整,出现长草现象,但是刻蚀选择比大于光刻胶,两种掩模的硅刻蚀速率相当。法刻蚀过程如图2。F基最常用的气体是SF6，因为最多可以电离出6个F离子(自由基)，SF6与Si的反应如下SF6→SF*+F*，(1)F*+Si→SiF4↑．(2)如果想得到较为垂直的刻蚀形貌，一般需要加入一些物理作用或者在刻蚀的同时加入一些保护侧壁的气体，一般选择C4F8，反应如下C4F8→(CF2)n．(3)其中，(CF2)n为聚合物，可以起到保护侧壁的作用。 本文由张家港弯管机网站采集网络www.wangaunjimuju.net再次进行刻蚀步骤，离子轰击去除碳氟化合物沉积物，反应如下nCF2+F→CF4．(4)图2ICP干法刻蚀过程刻蚀实验本实验使用的是北方微电子公司的DSE200系列深硅等离子刻蚀机，分别采用金属铝和光刻胶AZ4620作为刻蚀掩模，研究不同的掩模材料对深硅刻蚀的影响。对同样的图形进行硅的深刻蚀，刻蚀结构大小为1050μm×1050μm，深度为400μm，如图3所示。首先选择2片同样的4in(1in=2．54cm)N型硅片，使用3号液(H2SO4︰H2O2=3︰1)清洗干净，然后分别进行实验，工艺流程如图4。图4(a)使用光刻胶AZ4620做掩模，光刻后如图5(a)图3刻蚀结构示意图Fig图4不同掩模工艺流程所示，再分别经过前烘，曝光，后烘，形成图形。图4(b)利用金属铝做掩模，通过电子束蒸发在硅片上溅射2μm的金属铝，光刻后如图5(b)所示，然后使用浓硝酸腐蚀金属铝，形成图形，用丙酮去胶，形成最终图形。图5光刻后示意图然后，对两种硅片在同条件下进行深硅刻蚀，设定腔室压强为7mTorr，源功率为1000W，射频电极功率为30 用弹性较好的铍青铜材料作为振动元件,设计制作了"三明治"式差动电容检测结构的倾角传感器、给出敏感头结构尺寸,利用弹性力学分析了传感器的力学特性,推导出被测倾角和铍青铜元件偏角的关系。使用单片机,通过软件线性度补偿,提高了倾角传感器的输出线性度。该传感器结构简单,成本低,稳定性好,使用方便,并经过在全量程范围内测试,最大误差为6线性度补偿-电动弯管机价格低张家港弯管机滚圆机滚弧机多少钱 本文由张家港弯管机网站采集网络www.wangaunjimuju.net